用于電動汽車的寬帶隙半導體

用于電動汽車的寬帶隙半導體。

碳化硅和氮化鎵技術在過去幾年中取得了巨大的發(fā)展，被證明是商業(yè)上可用的節(jié)能技術。雖然硅在高達 650 V 的較低電壓下仍然具有競爭力，但SiC 和 GaN在較高電壓下提供高效的高頻和大電流操作。Si、SiC和GaN之間的大戰(zhàn)場在 650 V 左右，所有設備都適用于 400 V 電動汽車總線電壓。為了使 EV 能夠更快地充電，汽車電力電子設計人員需要 GaN 和 SiC 器件以及能夠滿足 EV 效率和功率密度要求的新動力總成架構。為了在給定電池容量的情況下獲得最大的充電續(xù)航里程，整個電源轉換鏈必須達到可能的最大效率。電池必須具有非常高的能量存儲密度。電動汽車的自主性直接反映了其動力總成系統(tǒng)的效率。

某OBC 應用系統(tǒng)應用工程師 確定了 OBC 設計的趨勢，比較了半導體技術的品質因數(shù)，并介紹了新的表面貼裝器件封裝。綜合解決方案帶來不同拓撲結構的創(chuàng)新，提供更高的效率和功率密度，并實現(xiàn)將電動汽車集成到智能電網(wǎng)的雙向性。其他主題包括 SiC 成本分析、熱管理和 GaN 組件的單片集成、用于驅動和保護電源開關的高級解決方案以及無線電力傳輸。

深圳市晶光華電子有限公司 26年專注提供一站式晶振產(chǎn)品解決方案，產(chǎn)品主要有SMD石英晶振、  車規(guī)晶振 、  SMD振蕩器等。晶光華始終堅持以品質為基石，品質符合國際IEC和美國ANSI標準。為了滿足客戶的高標準需求，我司積極整合供應鏈，真正服務每一位品質客戶。